大功率系统需要并联 IGBT来处理高达数十千瓦甚至数百千瓦的负载，并联器件可以是分立封装器件，也可以是组装在模块中的裸芯片。这样做可以获得更高的额定电流、改善散热，有时也是为了系统冗余。部件之间的工艺变化以及布局变化，会影响并联器件的 ...

此外还能降低工作温度、增强机械刚度，以及提高模块的整体可靠性。Ws1ednc 专用 QDual 3 半桥 IGBT 模块NXH800H120L7QDSG 适用于中央太阳能逆变器、储能系统(ESS)、不间断电源(UPS)；而 SNXH800H120L7QDSG 则适用于 CAV。这两款器件均基于 FS7 技术打造，V CE(SAT) 和 E OFF 有所 ...

首先将IGBT wafer上的每一个die贴片到DBC上。DBC是覆铜陶瓷基板，中间是陶瓷，双面覆铜，DBC类似PCB起到导电和电气隔离等作用，常用的陶瓷绝缘材料为氧化铝（Al2O3）和氮化铝（AlN）； 真空焊接，贴片后通过真空焊接将die与DBC固定，一般焊料是锡片或锡膏 ...

Die Infineon Technologies AG (ISIN: DE0006231004) kündigte heute an, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie... Den vollständigen Artikel lesen ...

Der Dividenden-Chartvergleich zeigt die Rendite inklusive der Ausschüttungen (Aktienkurs + Dividende, grün) im Vergleich zum Aktienkurs (blau) und so die wirkliche Rendite einer Investition in ...