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ROHM Introduces a New MOSFET for AI Servers with Industry-Leading* SOA Performance and Low ...
RY7P250BM – optimized for hot-swap circuits in 48V power systems used in AI servers and industrial power supplies requiring ...
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ROHM präsentiert neuen MOSFET für KI-Server mit industrieführender* SOA-Leistung und ...
Willich-Münchheide, 01. Juli 2025 – ROHM bietet mit dem RY7P250BM einen 100-V-Leistungs-MOSFET, der für Hot-Swap-Schaltungen ...
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TE Connectivity introduces ECONIDUR connector contact plating for improved sustainability ...
TE Connectivity (TE), a global leader in connectivity and sensor solutions, is introducing a breakthrough connector contact ...
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Keysight ermöglicht AMD den Nachweis der elektrischen Konformität mit PCI Express® bis ...
Böblingen, 1. Juli 2025 – Keysight Technologies hat AMD dabei unterstützt, die Prüfung der elektrischen Konformität für die ...
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TE Connectivity stellt mit ECONIDUR eine Steckverbinder-Kontaktbeschichtung für ...
GALWAY (Irland) – 26. Juni 2025 – TE Connectivity (TE), ein weltweit führender Anbieter von Verbindungs- und Sensorlösungen, ...
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ROHM stellt einen isolierten Gate-Treiber-IC für Hochspannungs-GaN-Bauelemente vor
Willich-Münchheide, 25. Juni 2025 – ROHM hat mit dem BM6GD11BFJ-LB einen isolierten Gate-Treiber-IC entwickelt, der speziell für den Betrieb von Hochspannungs-GaN-HEMTs optimiert ist. In Kombination m ...
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ROHM Launches an Isolated Gate Driver IC Optimized for High-Voltage GaN Devices
Willich-Münchheide, Germany, June 25, 2025 – ROHM has developed an isolated gate driver IC - the BM6GD11BFJ-LB. It is designed specifically for driving HV-GaN HEMTs. When combined with GaN devices, ...