IT之家 8 月 6 日消息，3D 存储器 IP 企业 NEO Semiconductor 公布了 X-HBM 超高带宽内存架构概念，宣称可实现 32000-bit 的超高位宽和 512Gb 的单层容量。

研究人员通过构建单层半导体MoS2与层状磁性材料CrPS4的范德华 (vdW)异质结，首次在同时破缺空间反演 (P-)和时间反演 (T-)对称的体系中观测到界面自发光电流（shift current），并发现其随CrPS4磁相变（40K Néel温度）的显著调控现象。该研究为开发磁控光伏器件提供了新思路，突破了传统p-n结器件的Shockley ...

而故事的转折点即将到来，1956年，摩尔接到了晶体管之父、诺贝尔奖获得者威廉·肖克利（William Shockley）的电话，肖克利盛情邀请他加入肖克利半导体公司（Shockley Semiconductor）。

他于1956年回到加利福尼亚州，加入肖克利半导体。 1957年，Moore与Robert Noyce和Shockley Semiconductor的其他六名同事共同创立了Fairchild Semiconductor，这是Fairchild Camera and Instrument的一个部门。 11年后，Moore和Noyce共同创立了英特尔。 与费尔柴尔德和英特尔一起取得了财务成功。

肖克利是扩散硅晶体管的共同发明人，也是肖克利半导体实验室（Shockley Semiconductor）的创始人，后者是后来在硅谷成立的第一家半导体公司。

1957 年，Gordon Moore 与 Robert Noyce，以及 Shockley Semiconductor 的其他六位同事共同创立快捷半导体。 十一年后，Gordon Moore 与 Robert Noyce共同创立了英特尔。

从1953年瓦里安公司（Varian）入驻斯坦福工业园起，其后有著名的肖克利半导体实验室（Shockley Semiconductor Laboratory）、仙童半导体公司 (Fairchild Semiconductor)、阿梅尔克（Amelco）、英特尔（Intel）、AMD半导体公司（AMD）等电子和计算机公司入驻或创立。