IT之家 8 月 6 日消息，3D 存储器 IP 企业 NEO Semiconductor 公布了 X-HBM 超高带宽内存架构概念，宣称可实现 32000-bit 的超高位宽和 512Gb 的单层容量。

这篇研究创新性地利用Kagome半导体Nb3Cl8的范霍夫奇点（vHs）诱导的高态密度（DOS），在低温下实现了类整流线性单元（ReLU）的模拟激活函数。通过六方氮化硼（h-BN）界面修饰成功抑制电荷陷阱，首次在室温获得无滞回、高线性度的晶体管特性，为模拟深度学习加速器的硬件设计提供了新范式。

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